7nm停供！中國先進(jìn)芯片2大重要方向亟待突破
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2024年11月8日，特朗普再度當(dāng)選不到3天，媒體報(bào)道臺積電(TSMC)已向所有中國大陸AI芯片客戶發(fā)送正式電子郵件，宣布自11月11日起，將暫停向中國大陸AI/GPU客戶供應(yīng)所有7nm及更先進(jìn)工藝的芯片。
2024年11月8日，特朗普再度當(dāng)選不到3天，媒體報(bào)道臺積電(TSMC)已向所有中國大陸AI芯片客戶發(fā)送正式電子郵件，宣布自11月11日起，將暫停向中國大陸AI/GPU客戶供應(yīng)所有7nm及更先進(jìn)工藝的芯片。
為使社會各界更加全面知悉科技創(chuàng)新稅費(fèi)優(yōu)惠政策、更加便捷查詢了解政策，更加準(zhǔn)確適用享受政策，財(cái)政部、科技部、海關(guān)總署、稅務(wù)總局聯(lián)合編寫了《我國支持科技創(chuàng)新主要稅費(fèi)優(yōu)惠政策指引》
隨著生成式人工智能和大模型技術(shù)的快速發(fā)展，AI處理器需求呈“井噴”式增長，具有高帶寬、大容量、低延遲等特點(diǎn)的HBM成為AI行業(yè)的主流存儲方案，但目前這一產(chǎn)品的產(chǎn)能仍存在很大缺口。
隨著電子器件的功率和集成度越來越高，電子封裝對散熱材料的要求也在不斷提升，研制新型電子封裝材料成為提升電子器件功率水平的一大關(guān)鍵點(diǎn)。金剛石/銅復(fù)合材料（DCC）因具有熱導(dǎo)率高、熱膨脹系數(shù)可調(diào)等優(yōu)勢成為當(dāng)前的研究熱點(diǎn)。
隨著電子技術(shù)的高速發(fā)展，更高密度、更小型化、更高集成化以及更高性能的封裝需求給半導(dǎo)體制造業(yè)提出了新的挑戰(zhàn)。
隨著移動和手持設(shè)備的功能越來越豐富，需要容納更多頻段，并滿足小尺寸要求。集成無源器件 (IPD,Integrated Passive Component)是一種越來越流行的技術(shù)，為射頻解決方案提供了小尺寸和高性能優(yōu)勢。
在本文中，我們將重點(diǎn)介紹半導(dǎo)體封裝的另一種主要方法——晶圓級封裝（WLP）。本文將探討晶圓級封裝的五項(xiàng)基本工藝
隨著摩爾定律逼近物理極限，引領(lǐng)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的片上集成技術(shù)發(fā)展已遇到瓶頸，計(jì)算系統(tǒng)算力受到“功耗墻”、“存儲墻”和“I/O 墻”制約，芯片功能及面積的大幅增加導(dǎo)致芯片良率降低及成本增加，因此芯片設(shè)計(jì)公司及制造廠商開始探索先進(jìn)互連與封裝技術(shù)
隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，摩爾定律不再能夠完全描述集成電路工藝的進(jìn)步，原有特征尺寸的等比例縮小的原則在未來的集成電路開發(fā)中不再完全適用。大多數(shù)集成電路制造業(yè)的商業(yè)現(xiàn)實(shí)是，即便是在資本支出不斷增加的背景下，技術(shù)節(jié)點(diǎn)的變遷和晶圓尺寸的變化正在逐漸變緩。
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